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XHP™ 3 3300 V, 450 A 双 IGBT 模块，采用第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、发射极控制二极管以及10.4 V的增强型隔离电压。
特征描述
- 高直流电压稳定性
- 高短路能力
- 低开关损耗
- 低 VCEsat
- 出色的坚固性
- Tvj op = 150°C
- 具有正温度系数的V Cesat
- 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力
- 封装的 CTI > 600
- 绝缘基板
优势
- 一个提供灵活性和可扩展性的大功率平台
- 高功率密度和经过优化的框架尺寸
- 高可靠性和长使用寿命
- 降低系统成本
- 低电感
好评度