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XHP™3 3300 V，450 A 双 IGBT 模块，采用第三代 TRENCHSTOP TM IGBT 和发射极控制二极管——专为灵活性和可靠性而设计！
特征描述
- 高直流电压稳定性
- 高短路能力
- 低开关损耗
- 低 VCEsat
- 出色的坚固性
- Tvj op = 150°C
- VCEsat 带正温度系数
- 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力
- 封装的 CTI > 600
- 绝缘基板
优势
- 高功率一体化平台，提供灵活性和可扩展性
- 高功率密度和优化的框架尺寸
- 高可靠性，且使用寿命长
- 降低系统成本
- 低电感
好评度